大家好,小钱来为大家讲解以上的问题。硅基肖特基二极管，关于硅基肖特基二极管介绍这个很多人还不知道,我们一起来看看！
1、 由于SiC 材料具有禁带宽度大，载流子迁移率较高( 达到Si 材料的80%)，进入了研究人员的视线，多种结构SiC 基器肖特基结器件见诸报道。
2、但SiC 材料昂贵，适用于制造600 V ～ 3000 V 的高速器件。
3、因此在300 V ～ 500 V 电压范围内，硅基肖特基结二极管仍有很大的市场空间。
关于硅基肖特基二极管到此分享完毕，希望能帮助到您。
大家好,小钱来为大家讲解以上的问题。硅基肖特基二极管，关于硅基肖特基二极管介绍这个很多人还不知道,我们一起来看看！
1、 由于SiC 材料具有禁带宽度大，载流子迁移率较高( 达到Si 材料的80%)，进入了研究人员的视线，多种结构SiC 基器肖特基结器件见诸报道。
2、但SiC 材料昂贵，适用于制造600 V ～ 3000 V 的高速器件。
3、因此在300 V ～ 500 V 电压范围内，硅基肖特基结二极管仍有很大的市场空间。
关于硅基肖特基二极管到此分享完毕，希望能帮助到您。
